Acronimo di
Metal Oxide Semiconductor (Metallo ossido semiconduttore).
● Inf. - Tecnologia di produzione di transistor e circuiti integrati
unipolari, nei quali la conduzione è affidata a cariche tutte dello
stesso segno (positivo o negativo). Il transistor
MOS (o MOSFET) è
costituito da una zona di silicio drogata, nella quale sono realizzate altre due
zone drogate, dette
drain (pozzo) e
source (sorgente). La parte
intermedia fra queste due zone è ricoperta da un ossido isolante, sopra
il quale è posto un sottile strato di metallo che costituisce il terzo
elettrodo o
gate (elettrodo di comando o porta). Applicando a questo una
tensione negativa si provoca per induzione la formazione di un canale fra
source e
drain e quindi il passaggio di corrente. Dotati di
un'elevata resistenza di ingresso, i circuiti integrati basati su questa
tecnologia hanno il vantaggio di costi piuttosto bassi, e nella versione
C-
MOS anche di bassi consumi, ma sono meno veloci dei circuiti bipolari.
Essi vengono usati raramente nei circuiti a componenti discreti; al contrario,
sono largamente usati nei circuiti logici a grande scala di integrazione, anche
per l'ingombro minimo della loro struttura e l'alto grado di immunità ai
disturbi di tipo elettrico.