Componente fotosensibile a due giunzioni che differisce dall'ordinario
transistore bipolare per la maggiore estensione trasversale della regione di
base, resa altresì accessibile alla radiazione proveniente dall'esterno.
In un
f. di tipo
npn mentre gli elettroni prodotti nella giunzione
base-collettore sono rapidamente rimossi dal campo elettrico, i buchi si
diffondono nella regione di base dove sono intrappolati per un tempo
relativamente lungo, pari al tempo di ricombinazione. Durante questo tempo, lo
squilibrio di carica provoca un'iniezione di elettroni dall'emettitore nella
base e quindi al collettore, che equivale a un'amplificazione della corrente di
fotorivelazione.